72.70.+m Noise processes and phenomena
85.30.−z Semiconductor devices
85.60.Dw Photodiodes; phototransistors; photoresistors
-
Д.С. Смирнов, В.Н. Манцевич, М.М. Глазов «Теория оптически детектируемых спиновых флуктуаций в наносистемах» УФН 191 973–998 (2021)
72.70.+m, 78.67.−n ()
-
А.А. Лебедев, П.А. Иванов и др. «Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» УФН 189 803–848 (2019)
81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z ()
-
И. Акасаки «Увлекательные приключения в поисках синего света» УФН 186 504–517 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw ()
-
Х. Амано «Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком» УФН 186 518–523 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw ()
-
Ш. Накамура «История изобретения эффективных синих светодиодов на основе InGaN» УФН 186 524–536 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw ()
-
А.Г. Витухновский «Органическая фотоника: успехи и разочарования» УФН 183 653–657 (2013)
42.70.Jk, 85.60.Dw, 85.60.Pg ()
-
У.С. Бойл «ПЗС — расширение человеческого зрения» УФН 180 1348–1349 (2010)
01.30.Bb, 85.30.−z, 85.60.Gz ()
-
Дж.Е. Смит «История изобретения приборов с зарядовой связью» УФН 180 1357–1362 (2010)
01.30.Bb, 85.30.−z, 85.60.Gz ()
-
Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью» УФН 180 587–603 (2010)
71.15.Mb, 77.55.D−, 85.30.−z ()
-
И.И. Таубкин «Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых p-n переходах» УФН 176 1321–1339 (2006)
72.70.+m, 85.30.−z, 85.60.Dw ()
-
Д.Р. Хохлов «Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов» УФН 176 983 (2006)
01.10.Fv, 07.57.−c, 78.20.−e, 85.30.−z ()
-
И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов» УФН 175 735–744 (2005)
84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk ()
-
Г.П. Жигальский «Неравновесный 1/f γ-шум в проводящих пленках и контактах.» УФН 173 465–490 (2003)
05.40.Ca, 72.70.+m, 73.50.Td, 85.40.Qx ()
-
О.П. Пчеляков «Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология» УФН 170 993–995 (2000)
07.07.−a, 81.15.Hi, 85.30.−z ()
-
С.И. Дорожкин, М.О. Дорохова и др. «Емкостная спектроскопия дробного квантового эффекта Холла» УФН 168 135–140 (1998)
72.70.+m, 73.40.Hm, 73.50.Td ()
-
С.В. Иорданский «Несингулярные вихри-скирмионы в двумерной электронной системе» УФН 168 140–143 (1998)
72.70.+m, 73.40.Hm, 73.50.Td ()
-
В. Апель, Ю.А. Бычков «Микроскопический вывод эффективного лагранжиана для скирмионов в двумерном газе взаимодействующих электронов при малом g-факторе» УФН 168 143–146 (1998)
72.70.+m, 73.40.Hm, 73.50.Td ()
-
В.Т. Долгополов, А.А. Шашкин и др. «Нелинейная экранировка, спиновая и циклотронная щели для двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs гетеропереходах» УФН 168 147–150 (1998)
72.70.+m, 73.40.Hm, 73.50.Td ()
-
Л.С. Левитов, А.В. Шитов, Б.И. Гальперин «Эффективное действие и функция Грина для сжимаемого холловского краевого состояния» УФН 168 151–154 (1998)
72.70.+m, 73.40.Hm, 73.50.Td ()
-
Г.Б. Лесовик «О регистрации нулевых флуктуаций тока и напряжения» УФН 168 155–159 (1998)
72.70.+m, 73.40.Hm, 73.50.Td ()
-
Я.М. Блантер, С.А. Ван Ланген, М. Бюттикер «Влияние обменных эффектов на дробовой шум в многоконтактных проводниках» УФН 168 159–162 (1998)
72.70.+m, 73.40.Hm, 73.50.Td ()
-
Г.П. Жигальский «Шум вида 1/f и нелинейные эффекты в тонких металлических пленках» УФН 167 623–648 (1997)
72.70.+m, 73.50.Td ()
-
В.С. Вавилов «Полупроводники в современном мире» УФН 165 591–594 (1995)
85.30.−z, 72.80.−r, 01.10.Fv ()
-
Л.Н. Крыжановский «История изобретения и исследований когерера» УФН 162 (4) 143–152 (1992)
85.30.−z, 84.32.Ff ()
-
В.В. Майер, Р.В. Майер «Демонстрация акустического эффекта Допплера» УФН 161 (3) 149–153 (1991)
43.28.Py, 43.38.Kb, 43.66.Lj, 85.60.Jb, 85.60.Dw ()
-
В.В. Осипов «Шумы в физических системах» УФН 160 (12) 201–203 (1990)
72.70.+m
-
В.Е. Голант, Ю.В. Гуляев и др. «Жорес Иванович Алферов (К шестидесятилетию со дня рождения)» УФН 160 (3) 152–155 (1990)
01.60.+q, 85.30.−z ()
-
Б.Г. Идлис «Физика и технология субмикронных структур» УФН 159 188–189 (1989)
01.30.Vv, 85.30.−z ()
-
Ж.И. Алфёров, В.С. Вавилов и др. «Памяти Виктора Леопольдовича Бонч-Бруевича» УФН 154 335–336 (1988)
01.60.+q, 01.10.Cr, 01.10.Fv, 85.30.−z, 68.43.Mn, 82.65.+r ()
-
О.П. Заскалько «Пикосекундная электроника и оптоэлектроника» УФН 151 732–733 (1987)
01.30.Vv, 01.30.Ee, 85.60.−q, 85.30.−z, 81.15.Gh, 81.15.Hi ()
-
Ш.М. Коган «Низкочастотный токовый шум со спектром типа 1/f в твердых телах» УФН 145 285–328 (1985)
72.70.+m
-
А.П. Александров, Ж.И. Алферов и др. «Владимир Максимович Тучкевич (К восьмидесятилетию со дня рождения)» УФН 144 687–688 (1984)
01.60.+q, 85.30.−z ()
-
Г.Н. Бочков, Ю.Е. Кузовлев «Новое в исследованиях 1/f-шума» УФН 141 151–176 (1983)
72.70.+m, 05.40.+j
-
Ш.М. Коган «Новые экспериментальные исследования механизма шума 1/f» УФН 123 131–136 (1977)
72.70.+m, 73.60.Dt
-
А.Н. Георгобиани «Широкозонные полупроводники AIIBVI и перспективы их применения» УФН 113 129–155 (1974)
73.40.Lq, 78.60.Fi, 85.30.−z, 61.72.Ji ()
-
М.И. Елинсон «Проблемы функциональной микроэлектроники» УФН 109 764–765 (1973)
85.40.−e, 85.30.−z ()
-
К.А. Валиев «Современная полупроводниковая микроэлектроника и перспективы ее развития» УФН 109 765–768 (1973)
85.40.−e, 85.30.−z, 73.40.Kp, 73.40.Lq ()
-
Ж.И. Алфёров «Полупроводниковые приборы с гетеропереходами» УФН 108 598–600 (1972)
73.40.Kp, 85.30.−z, 85.60.Dw ()
|