Некоторые физические аспекты ионной имплантации

Имплантация ионов и родственные ей процессы осаждения и распыления.— Неравновесностъ и метастабильность ионно-имплантированных структур.— Аморфные твердые тела, создаваемые имплантацией ионов, и планарные структуры, их включающие.— Рекристаллизация слоев, легированных или (и) амортизированных имплантацией ионов.— Анализ состава и свойств ионно-имплантированных планарных структур.— Метод анализа спектров фото- и катодолюминесценции ионно-имплантированных слоев.— Оптическая методика изучения приповерхностных слоев ионно-имплантированных структур.— Емкостная спектроскопия энергетических уровней.— О пределах применимости ионной имплантации как метода управления свойствами полупроводников и других твердых тел.

Текст pdf (1,4 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1985v028n02ABEH003854

PACS: 81.15.Cd, 68.55.Ln, 68.55.Nq, 78.55.−m, 78.60.Hk, 78.66.Jg (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0145.198502e.0329
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/2/e/
Цитата: Вавилов В С "Некоторые физические аспекты ионной имплантации" УФН 145 329–346 (1985)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Some physical aspects of ion implantation” Sov. Phys. Usp. 28 196–206 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n02ABEH003854

Статьи, ссылающиеся на эту (6) Похожие статьи (5) ↓

В.С. Вавилов «Полупроводники в современном мире» УФН 165 591–594 (1995)
А.А. Лушников, А.Е. Негин и др. «Аэрогельные структуры в газе» УФН 161 (2) 113–123 (1991)
А.В. Елецкий, Б.М. Смирнов «Кластер С₆₀ — новая форма углерода» УФН 161 (7) 173–192 (1991)
В.И. Гольданский «О связях ядерной и химической физики» УФН 118 325–338 (1976)
И.Л. Фабелинский «Новые оптические методы изучения быстропротекающих процессов» УФН 104 77–94 (1971)

Список формируется автоматически.