Теллурид кадмия-ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники

В.П. Пономаренко
Государственное унитарное предприятие «НПО ’Орион» Государственный научный центр Российской Федерации (ГНЦ РФ ФГУП НПО Орион), шоссе Энтузиастов 46/2, Москва, 111123, Российская Федерация

Описаны основные результаты и этапы создания в 1969-2002 гг. полупроводниковых твердых растворов теллуридов кадмия-ртути (монокристаллов и эпитаксиальных слоев), а также фотоприемников инфракрасного диапазона на их основе (фоторезисторов и фотодиодов, в том числе матричных).

Текст pdf (708 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n06ABEH001372

PACS: 01.65.+g, 07.57.Kp, 85.60.Gz (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200306c.0649
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/6/c/
Web of Science

000185710500003
Цитата: Пономаренко В П "Теллурид кадмия-ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники" УФН 173 649–665 (2003)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

%0 Journal Article
%T Cadmium mercury telluride and the new generation of photoelectronic devices
%A V. P. Ponomarenko
%I Uspekhi Fizicheskikh Nauk
%D 2003
%J Usp. Fiz. Nauk
%V 173
%N 6
%P 649-665
%U https://ufn.ru/ru/articles/2003/6/c/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200306c.0649

English citation: Ponomarenko V P “Cadmium mercury telluride and the new generation of photoelectronic devices” Phys. Usp. 46 629–644 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n06ABEH001372