Гетероструктуры Ge_xSi_1-x/Si на основе двух элементарных полупроводников становятся важным элементом современной микроэлектроники. Успешное эпитаксиальное выращивание таких гетероструктур предполагает детальное знание механизмов упругой и пластической деформации сплошных и островковых пленок как на начальных стадиях эпитаксии, так и при последующей термообработке. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен большой материал, отражающий достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов формирования упруго деформированных и пластически релаксированных гетерокомпозиций в системе Ge_xSi_1-x/Si, в частности, обсуждается использование «податливых» и «мягких» подложек, а также синтез островков нанометровых размеров (так называемых квантовых точек).

PACS: 61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.−z (все) DOI: 10.3367/UFNr.0171.200107a.0689 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/7/a/ 000173467700001 Цитата: Болховитянов Ю Б, Пчеляков О П, Чикичев С И "Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур" УФН 171 689–715 (2001) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks Русский English PT Journal Article TI Silicon – germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures AU Bolkhovityanov Yu B FAU Bolkhovityanov YB AU Pchelyakov O P FAU Pchelyakov OP AU Chikichev S I FAU Chikichev SI DP 10 Jul, 2001 TA Usp. Fiz. Nauk VI 171 IP 7 PG 689-715 RX 10.3367/UFNr.0171.200107a.0689 URL https://ufn.ru/ru/articles/2001/7/a/ SO Usp. Fiz. Nauk 2001 Jul 10;171(7):689-715 English citation: Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P, Chikichev S I “Silicon-germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures” Phys. Usp. 44 655–680 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n07ABEH000879